飛行時間型二次イオン質量分析装置 (TOF-SIMS)

メーカー・型式

アルバック・ファイ TRIFT 2

設置場所

未来産業技術共同研究館304号室

設置年度

平成12年度(平成25年度に制御PC更新)

主な仕様

  • 一次イオン源： Gaイオン銃
  • 一次イオン最小ビーム径： 120nm
    (バンチング無し時)
  • 一次イオン最大加速電圧： 25kV
  • 低エネルギー電子銃による自動帯電中和測定
  • トリプルフォーカス静電アナライザー
    (TRIFT型アナライザー)
  • X-Y電動試料ステージ
  • 分析チャンバー真空度： <10 -8 Pa
  • 測定・解析ソフトウェア： WinCadence 5.2
  • アクティブ磁場キャンセラー付属

分析試料

  • 試験片形状： 最大径20mm、最大厚5mm程度
  • バックマウントホルダーにより固定する (原則として導電性テープは使用しない)
  • エポキシ樹脂包埋サンプルの測定は困難 (真空度悪化のため)
  • 各種金属材料、セラミックス、有機材料など(超高真空中で揮発しないもの)
  • 非導電性試料は、帯電中和により測定可能
  • 粉体試料については要相談

用途

  • 元素、イオン、同位体の定性分析 (原理上、全ての元素の検出が可能)
  • マッピング分析による元素、イオン、同位体の分布評価
  • 一次イオンスパッタリングによる深さ方向分析
  • フラグメントピーク解析による有機化合物の同定

これまでの利用例

  • 各種環境中にて形成された酸化皮膜中の微量元素の検出
  • 電子部品表面変色部の分析
  • 脱脂処理表面の残留油脂分析 (脱脂剤の性能評価)
  • 潤滑油の樹脂材料への浸透性評価