主な仕様

• Arイオン銃： ペニング型イオン銃 (99.99%以上のアルゴンガスを使用)
• 加速電圧： 0～6kV
• 断面と平面の各モードでの加工や処理が可能
• 最大ミリングレート (参考値)
• 断面： 約300μm/h (Siの場合)
• 平面： 約2μm/h (Siの場合)
• 試料の偏心回転が可能 (平面ミリング時)
• 照射角度範囲： 0～90° (平面ミリング時)
• 断面ミリング、平面ミリングホルダーをそのまま走査電子顕微鏡 (S-3400N)に導入して観察が可能

試料

• 断面試料サイズ： 幅20mm(加工面) x 奥行き12mm x 高さ7mm
  (断面ミリング試料の整形、予備研磨方法については要相談)
• 平面試料サイズ： 直径50mm x 高さ25mm
• 樹脂包埋サンプルの加工は可能
• 粉体試料の前処理については要相談

用途

• 薄膜、粉体、繊維などの断面出し加工
• 走査電子顕微鏡観察試料、EDSやEBSD分析試料の最終表面仕上げ

これまでの利用例

• 化学エッチングが困難なTi系合金のイオンエッチング処理 (平面ミリング)
• 有機系薄膜積層フィルムの断面観察試料の作製 (断面ミリング)
• エポキシ樹脂のチャージアップ軽減のための前処理 (平面ミリング)