電界放出型走査電子顕微鏡 (FE-SEM)

メーカー・型番

日立ハイテク SU-70

設置場所

NICHe本館302号室

設置年度

平成25年度


※テクニカルサポートセンター登録設備

主な仕様

  • 電子銃： ショットキー型電子銃
  • 加速電圧： 0.5～30kV (100Vステップ)
  • 分解能： 1.0nm (15kV、WD=4mm)
  • 5軸電動試料ステージ
  • 4分割形半導体反射電子検出器
  • リターディング機能
  • 分析チャンバー真空度： < 7x10 -4 Pa
  • アクティブ磁場キャンセラー付属

付属分析機器

  • エネルギー分散型X線分光分析装置 (EDS)
    • シリコンドリフト検出器 (SDD)
    • 分析ソフト： EDAX Genesis 6.41 (スポット、ライン、マッピング分析)
  • 電子線後方散乱回折解析装置 (EBSD)
    • CCD画素数： 1392x1040ピクセル (8x8ビニング時は174x130ピクセル)
    • CCDカメラフレームレート： 最大120 fps
    • 分析 / 解析ソフト： TSL OIM Data Collection /Analysis 6.2

観察・分析試料

  • 原則として、直径25mm以下 、厚さ20mm以下
    (大型試料、EBSD分析用試料、粉体試料については要相談)
  • エポキシ樹脂包埋サンプルの観察・分析は可能
  • 各種金属材料、セラミックス、有機材料など（高真空中で揮発しないもの）

用途

  • 二次電子像、反射電子像による表面形態観察
  • 電子線後方散乱回折による結晶方位解析
  • エネルギー分散型Ｘ線分光による元素分析

これまでの利用例

  • Ni基合金溶接部の溶接金属および熱影響部の粒界性格の解析
  • Kernel Average Misorientation (KAM)によるスポット溶接熱影響部の残留ひずみ評価
  • 薄膜試料を用いた高倍率EDSマッピング分析よる微細析出相の元素分析